第830章 晶片进展2
重生后我只做正確选择 作者:佚名
第830章 晶片进展2
设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。
他看向了工艺整合负责人和设计-工艺產品线总裁孟良凡。
冯庭波適时接话：
“尘风总问到了核心。
设计只是蓝图，製造才是將蓝图变为现实的关键。
下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示『猎人』晶片在14nm finfet平台上的真实情况。”
工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。
他操作投影，画面切换到了一张令人眼花繚乱的多维度图表：14nm finfet工艺平台良率追踪图。
上面布满了各种顏色的曲线，代表著不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。
“姚总的问题非常直接，我也直接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。
“『猎人』晶片，是基於我们华兴eda团队与海思共同开发的新一代pdk进行设计和仿真的。
其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际產线的早期数据。”
他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋於平稳的曲线：
“这就是『猎人』晶片核心计算模块的mpw试產良率趋势。
经过五轮艰苦的工艺叠代和设计优化，其综合良率，已从最初的令人绝望的31%，提升並稳定在68.5%。
最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以內。”
“68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合著惊讶和欣喜。
【记住全网最快小説站????????????.??????】
“如果我没记错，上次季度匯报，这个数字还在45%徘徊。
这个爬坡速度，超出了我们內部的预期。
怎么做到的？”
“是的，姚总，提升速度確实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。
“突破主要来自三个方面：
首先是孟总团队带来的finfet三维鰭片形状和应力工程的精確调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”
“其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，採用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体晶片功耗。”
“而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。
“陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。
特別是其中的化学机械拋光（cmp）建模和面向製造的设计（dfm）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在製造热点（hotspot）和天线效应问题。
这大大减少了流片后的反覆次数，缩短了良率爬升周期。
可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了製造工艺的成熟。”
孟良凡这时推了推眼镜，严谨底补充道：
“庭波总、陈总、姚总，68.5%的良率，对於一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nm finfet工艺线而言，是一个里程碑，它证明了技术路线的可行性。
这標誌著我们已初步掌握了中端性能晶片的自主可控设计製造能力。”
他话锋一转，依旧保持著客观：
“但我们必须清醒，这与台积电7nm成熟製程超过95%的良率相比，差距巨大。
这意味著我们的成本劣势短期內难以消除，可能高出30%-50%。
同时，受限於当前工艺水平，晶片的峰值性能和高频下的功耗，与国际最先进水平存在一代左右的差距。”
冯庭波接过话头，目光灼灼地看向姚尘风，语气沉稳而决断：
“尘风总，差距存在，但意义更大。
这意味著我们的手中有了一张牌。
我正式提议，启动『猎人计划』。
下一代荣耀play系列、荣耀x系列，以及部分平板和物联网產品的核心晶片，必须有一部分型號切换到这个自研平台。
初期可能会牺牲一部分利润和极致的性能体验，但我们必须迈出这一步，在实践中打磨流程，积累数据，建立我们对自主晶片的信心体系和供应链。”
姚尘风没有立刻回答，他再次低头，手指在平板电脑上飞快地运算著。
他模擬著各种成本、定价、市场和风险场景。
会议室里鸦雀无声，只有他指尖敲击屏幕的细微声响。
几分钟后，他抬起头，最终拍板：
“同意！风险可控，战略价值远超短期財务表现。
海思儘快交付最终gdsii，终端研发、测试和供应链这边我会亲自盯，立即启动『猎人计划』。
但我有三个条件：
第一，海思和製造端必须立军令状，保证晶片的绝对稳定性和可靠性，中端机用户规模大，出大规模质量问题就是品牌灾难。
第二，財务部牵头，核算成本，初期亏损由集团战略专项基金覆盖，但必须给出明確的良率提升和成本下降路径图，我要在一年內看到成本逼近可接受区间。
第三，”
他顿了顿，语气加重，目光扫过冯庭波和陈默。
“这仅仅是『备胎』和练兵场，我们最终的目標是旗舰机。
高端的n+1工艺进度，绝不能因为14nm finfet的进展而有丝毫鬆懈。
我要的是能用在下一代mate和p系列上，能正面抗衡高通和苹果的晶片。
n+1的进展，现在到底是什么情况？”
姚尘风的追问，让刚刚稍有缓和的气氛再次激起千层浪。
所有人的心都提了起来，目光聚焦在那位工艺整合负责人身上。
负责人的表情瞬间变得更加严峻，他甚至下意识地深吸了一口气，才操作电脑。
投影画面切换到一个更加复杂、数据点更加稀疏且波动剧烈的图表：n+1工艺良率追踪图。
那如同癲癇患者心跳般的曲线，让所有懂行的人心里都是一沉。
“姚总、冯总，n+1工艺，我们面临的是一堵技术界的『嘆息之壁』。”他的声音乾涩。
“它的目標是实现比14nm更高的电晶体密度和能效比，这要求我们在电晶体架构、新材料、新集成技术上都取得突破。
目前，我们在三个核心领域遇到了巨大的、近乎原理性的困难。”
他逐一指出图表上的几个致命低谷：
第830章 晶片进展2
设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。
他看向了工艺整合负责人和设计-工艺產品线总裁孟良凡。
冯庭波適时接话：
“尘风总问到了核心。
设计只是蓝图，製造才是將蓝图变为现实的关键。
下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示『猎人』晶片在14nm finfet平台上的真实情况。”
工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。
他操作投影，画面切换到了一张令人眼花繚乱的多维度图表：14nm finfet工艺平台良率追踪图。
上面布满了各种顏色的曲线，代表著不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。
“姚总的问题非常直接，我也直接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。
“『猎人』晶片，是基於我们华兴eda团队与海思共同开发的新一代pdk进行设计和仿真的。
其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际產线的早期数据。”
他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋於平稳的曲线：
“这就是『猎人』晶片核心计算模块的mpw试產良率趋势。
经过五轮艰苦的工艺叠代和设计优化，其综合良率，已从最初的令人绝望的31%，提升並稳定在68.5%。
最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以內。”
“68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合著惊讶和欣喜。
【记住全网最快小説站????????????.??????】
“如果我没记错，上次季度匯报，这个数字还在45%徘徊。
这个爬坡速度，超出了我们內部的预期。
怎么做到的？”
“是的，姚总，提升速度確实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。
“突破主要来自三个方面：
首先是孟总团队带来的finfet三维鰭片形状和应力工程的精確调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”
“其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，採用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体晶片功耗。”
“而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。
“陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。
特別是其中的化学机械拋光（cmp）建模和面向製造的设计（dfm）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在製造热点（hotspot）和天线效应问题。
这大大减少了流片后的反覆次数，缩短了良率爬升周期。
可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了製造工艺的成熟。”
孟良凡这时推了推眼镜，严谨底补充道：
“庭波总、陈总、姚总，68.5%的良率，对於一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nm finfet工艺线而言，是一个里程碑，它证明了技术路线的可行性。
这標誌著我们已初步掌握了中端性能晶片的自主可控设计製造能力。”
他话锋一转，依旧保持著客观：
“但我们必须清醒，这与台积电7nm成熟製程超过95%的良率相比，差距巨大。
这意味著我们的成本劣势短期內难以消除，可能高出30%-50%。
同时，受限於当前工艺水平，晶片的峰值性能和高频下的功耗，与国际最先进水平存在一代左右的差距。”
冯庭波接过话头，目光灼灼地看向姚尘风，语气沉稳而决断：
“尘风总，差距存在，但意义更大。
这意味著我们的手中有了一张牌。
我正式提议，启动『猎人计划』。
下一代荣耀play系列、荣耀x系列，以及部分平板和物联网產品的核心晶片，必须有一部分型號切换到这个自研平台。
初期可能会牺牲一部分利润和极致的性能体验，但我们必须迈出这一步，在实践中打磨流程，积累数据，建立我们对自主晶片的信心体系和供应链。”
姚尘风没有立刻回答，他再次低头，手指在平板电脑上飞快地运算著。
他模擬著各种成本、定价、市场和风险场景。
会议室里鸦雀无声，只有他指尖敲击屏幕的细微声响。
几分钟后，他抬起头，最终拍板：
“同意！风险可控，战略价值远超短期財务表现。
海思儘快交付最终gdsii，终端研发、测试和供应链这边我会亲自盯，立即启动『猎人计划』。
但我有三个条件：
第一，海思和製造端必须立军令状，保证晶片的绝对稳定性和可靠性，中端机用户规模大，出大规模质量问题就是品牌灾难。
第二，財务部牵头，核算成本，初期亏损由集团战略专项基金覆盖，但必须给出明確的良率提升和成本下降路径图，我要在一年內看到成本逼近可接受区间。
第三，”
他顿了顿，语气加重，目光扫过冯庭波和陈默。
“这仅仅是『备胎』和练兵场，我们最终的目標是旗舰机。
高端的n+1工艺进度，绝不能因为14nm finfet的进展而有丝毫鬆懈。
我要的是能用在下一代mate和p系列上，能正面抗衡高通和苹果的晶片。
n+1的进展，现在到底是什么情况？”
姚尘风的追问，让刚刚稍有缓和的气氛再次激起千层浪。
所有人的心都提了起来，目光聚焦在那位工艺整合负责人身上。
负责人的表情瞬间变得更加严峻，他甚至下意识地深吸了一口气，才操作电脑。
投影画面切换到一个更加复杂、数据点更加稀疏且波动剧烈的图表：n+1工艺良率追踪图。
那如同癲癇患者心跳般的曲线，让所有懂行的人心里都是一沉。
“姚总、冯总，n+1工艺，我们面临的是一堵技术界的『嘆息之壁』。”他的声音乾涩。
“它的目標是实现比14nm更高的电晶体密度和能效比，这要求我们在电晶体架构、新材料、新集成技术上都取得突破。
目前，我们在三个核心领域遇到了巨大的、近乎原理性的困难。”
他逐一指出图表上的几个致命低谷：